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多結晶SiTFT
多結晶SiTFTとはTFTの材料として多結晶si薄膜を用いたもの。
アモーフアスに比しオフ電流を下げにくいが結晶化されている分、オン電流は大きいため同等のスイッチ能力が確保できる。
通常はゲート電極をマスクとするイオン打ち込みによりソース・ドレインを自己整合で形成する。
信頼性・安定性が高いためプロジェクション用や小型のビュー・ファインダに利用されている。
良質の多結晶股の成長には高い温度が必宴とされ大型化を妨げている。
最近では600℃程度で大きな結晶粒が得られる方式が開発されてきたため、大型化に期待が持てるようになった。
