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多結晶Si膜成長
2．1．7 多結晶Si膜成長
多結晶si膜の形成には通常、減圧CVD（LPCVD）が用いられる。約
600℃、数十mTorr程度の減圧（真空）下でモノシラン（SiH4）などのガ
スを分解させて多結晶si膜を成長させる。熱平衡状態で薄膜形成を行う
ため、余分な反応生成物が生じ難く、パーティクルはほとんど発生しな
い。また膜厚制御もきわめて良好である。従来の横型炉に代わって、最
近は縦型炉の採用により、50cm角程度の基板まで適用できる。
結晶性の良い多結晶Siを得るには熱エネルギーが重要で、550℃以下
ではアモーファスSiが得られてしまう。10℃でも形成温度を上げれば飛
躍的に結晶性は改善されるが、ガラス基板の耐熱性で上限が決まる。
