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ゲート・セルフアライン
2．1．8
デート、ソース、ドレインの位置関係を、誤差の生じやすいマスク合
わせを用いることなく自動的に決定する手法。三つの電極間の重なりを
一定かつ最小にすることができる。この結果、ゲートとドレインのオー
バーラップ部に形成されるトランジスタの寄生容量が一定かつ最小とな
り、画質およびその均一性・信頼性が大幅に向上する。
大面積になるほ
どマスク合わせは困難となるため、ゲート・セルフアラインの必要性は
高まる。
逆スタガ構造のアモーファスSiTFTでは、ゲート電極をマスクに基板
裏側から光を照射し基板上のフォトレジストを感光させて、このフォト
レジストをマスクにソース・ドレインを加工する手法が知られている。
またイオン打ち込み法の導人も試みられている。今後の大面積化・高精
細化に伴って広く用いられてくる可能性が高い。
